提高结晶设备使用中结晶纯度的措施
在结晶设备的使用过程中，我们需要采取一些必要的措施来提高设备的结晶纯度，接下来小编就简单为大家介绍一下。
1、在操作结晶设备的过程中，控制结晶设备内的过饱和度处于介稳区内，混合对过饱和度和晶核的形成有重要的影响，它是结晶设备设计的基础。
2、选择合适的过饱和度使晶核生长的速率大。
3、优化结晶设备的混合能量的输入，这个过程产生的过饱和度被晶体的生长所消耗而到达状态，这样就完成了一个循环，如果在一个周期里过饱和度没有完全消耗则下一周期将会进一步饱和，一段时间后，整个周期将远离甚至高于介稳区，这将对晶体增长和成核产生不利影响，因此，为过饱和的液体提供足够多的会以及足够的结晶表面是非常重要的。否则，晶粒形状将遭受破坏。
与此同时，为了有效延长结晶设备的有效使用寿命，使用者在操作过程中也应注意以下注意要点：
1、结晶设备铜板弯月面不镀层。为减少弯月面区域缺陷的产生，刚开始采取急案薄弯月面镀层厚度的方法，但效果不明显，后采取了弯月面区域不镀层，在其他区域提高镀层强度的方法。该法在实际采用后，弯月面区域仅偶尔发生微裂纹缺陷，避免了铜板镀层龟裂和脱落缺陷，减少了铜板镀层缺陷产生的表面纵裂，杜绝了裂纹漏钢事故。
2、优化铜板冷却水缝设计，将铜板冷却水缝开始位置改变为距上口50mm，倒角长度减少到5mm，以减轻距弯月面区域冷却产生紊流，解决容易产生热量积累的问题。
3、提高设备的对中精度。由于结晶器宽面倒锥度误差大达到了0.8mm，需要采用结晶设备返厂维修、地脚螺栓加垫片调整等方法，以解决结晶设备宽面倒锥度误差过大问题，现在用保证结晶设备与弯曲段的对中误差不大于±0.3mm，发现误差时，立即停机调整或更换磨损超标的结晶设备。
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